作为第三代半导体的代表材料，碳化硅市场正在迅速发展。与硅材料相比，碳化硅衬底上的半导体器件具有功率大、耐压高、耐高温、频率高、能耗低、抗辐射能力强等优点。可广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。随着下游行业对轻量级半导体速率器件、高转换效率和低加热特性的需求不断增加，已成为电力器件中取代Si的必然发展趋势。碳化硅市场的发展也有利于气流粉碎机、气流分级机的市场的稳定发展。

2014年，全球碳化硅电力半导体市场仅为1.2亿美元。随着对混合动力汽车、电动汽车、电源设备和太阳能转换器需求的增加，全球碳化硅电力半导体市场将从2017年的3.02亿美元迅速增长到2023年的13.99亿美元，年复合增长率为29%。到2020年，市场规模将达到35亿元，40%的复合年增长率将继续快速增长。

碳化硅的产业链可以分为三个产业环节，一是上游衬底，二是中游外延片，三是下游器件制造。纵观整个碳化硅产业，美，日，欧呈现三足鼎立的态势，寡头竞争明显。20世纪80年代以来，为了保持航天，军事和科技强国的地位，美，日，欧等发达国家始终把宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了一批装备系统能力这些国家和地区在碳化硅半导体领域一直走在世界前列。 SiC半导体器件的产业化主要以德国英飞凌，美国Cree公司，GE，日本Romani公司，丰田公司等为代表。

与美国、日本和欧洲相比，中国的碳化硅企业虽然在技术、生产能力等方面仍然缺乏，但目前中国的碳化硅产业链已经开始形成，在碳化硅产业化的基础上，国内企业有望在当地市场实现弯道赶超。

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